IXTP1R4N100P

IXYS IXTP1R4N100P

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  • IXTP1R4N100P
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTP1R4N100P Fiche technique
  • TO-220-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3246
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXTP1R4N100P
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Package
Bulk
Series
Polar™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-220-3

IXTP1R4N100P Des garanties

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