IXTH20N65X

IXYS IXTH20N65X

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  • IXTH20N65X
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 20A TO247
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTH20N65X Fiche technique
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 7990
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IXTH20N65X
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
320W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1390 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

IXTH20N65X Des garanties

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