IXTH14N80

IXYS IXTH14N80

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  • IXTH14N80
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 14A TO247
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTH14N80 Fiche technique
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3098
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXTH14N80
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Package
Tube
Series
MegaMOS™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

IXTH14N80 Des garanties

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