IXYS IXTD4N80P-3J
- IXTD4N80P-3J
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTD4N80P-3J Fiche technique
- Die
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 790
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IXTD4N80P-3J |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer IXYS |
Description MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE |
Package Bulk |
Series PolarHV™ |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 100W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.2 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case Die |
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