IXYS IXTA26P10T
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- IXTA26P10T
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 26A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTA26P10T Fiche technique
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3100
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| Part Number IXTA26P10T |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer IXYS |
| Description MOSFET P-CH 100V 26A TO263 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series TrenchP™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package TO-263AA |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 150W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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