IXFQ12N80P

IXYS IXFQ12N80P

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  • IXFQ12N80P
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFQ12N80P Fiche technique
  • TO-3P-3, SC-65-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1263
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IXFQ12N80P
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
Package
Tube
Series
HiPerFET™, PolarHT™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
360W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-3P-3, SC-65-3

IXFQ12N80P Des garanties

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