IXFN66N50Q2

IXYS IXFN66N50Q2

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  • IXFN66N50Q2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFN66N50Q2 Fiche technique
  • SOT-227-4, miniBLOC
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 21191
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXFN66N50Q2
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227B
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
735W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
SOT-227-4, miniBLOC

IXFN66N50Q2 Des garanties

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