IXFN55N50

IXYS IXFN55N50

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  • IXFN55N50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFN55N50 Fiche technique
  • SOT-227-4, miniBLOC
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1576
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IXFN55N50
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227B
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
625W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
SOT-227-4, miniBLOC

IXFN55N50 Des garanties

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