IXYS IXFN360N10T
- IXFN360N10T
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXFN360N10T Fiche technique
- SOT-227-4, miniBLOC
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 25408
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IXFN360N10T |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer IXYS |
Description MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
Package Tube |
Series HiPerFET™ |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package SOT-227B |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 830W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 180A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 505 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36000 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case SOT-227-4, miniBLOC |
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