IXFN180N10

IXYS IXFN180N10

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  • IXFN180N10
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFN180N10 Fiche technique
  • SOT-227-4, miniBLOC
  • SOT-227-4, miniBLOC
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3287
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXFN180N10
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Package
SOT-227-4, miniBLOC
Series
HiPerFET?
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227B
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
600W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Package_case
SOT-227-4, miniBLOC

IXFN180N10 Des garanties

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