IXFH26N100X

IXYS IXFH26N100X

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  • IXFH26N100X
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFH26N100X Fiche technique
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 15936
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXFH26N100X
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
860W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

IXFH26N100X Des garanties

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