IXFE36N100

IXYS IXFE36N100

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  • IXFE36N100
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFE36N100 Fiche technique
  • SOT-227-4, miniBLOC
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 7215
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXFE36N100
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227B
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
580W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
SOT-227-4, miniBLOC

IXFE36N100 Des garanties

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