IXFA8N50P3

IXYS IXFA8N50P3

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  • IXFA8N50P3
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 8A TO263
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFA8N50P3 Fiche technique
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 12337
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IXFA8N50P3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Package
Tube
Series
HiPerFET™, Polar3™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
705 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFA8N50P3 Des garanties

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