IXYS IXFA6N120P
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- IXFA6N120P
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXFA6N120P Fiche technique
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 721
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number IXFA6N120P |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer IXYS |
| Description MOSFET N-CH 1200V 6A TO263 |
| Package Tube |
| Series HiPerFET™, PolarP2™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package TO-263 (IXFA) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 250W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2830 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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