IRG8CH20K10F

Infineon Technologies IRG8CH20K10F

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  • IRG8CH20K10F
  • Infineon Technologies
  • IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
  • Transistors - IGBTs - Single
  • IRG8CH20K10F Fiche technique
  • Die
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2389
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IRG8CH20K10F
Category
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Power - Max
-
Input Type
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
-
Current - Collector (Ic) (Max)
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Gate Charge
90 nC
Td (on/off) @ 25°C
20ns/170ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Current - Collector Pulsed (Icm)
-
Switching Energy
-
Package_case
Die

IRG8CH20K10F Des garanties

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Indice de produit
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