IRFU13N20DPBF

Infineon Technologies IRFU13N20DPBF

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  • IRFU13N20DPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IRFU13N20DPBF Fiche technique
  • TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4117
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IRFU13N20DPBF
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
Package
Tube
Series
HEXFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFU13N20DPBF Des garanties

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