Fairchild Semiconductor IRFM120ATF
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- IRFM120ATF
- Fairchild Semiconductor
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFM120ATF Fiche technique
- TO-261-4, TO-261AA
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 16809
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number IRFM120ATF |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Fairchild Semiconductor |
| Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
| Package Bulk |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package SOT-223-4 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-261-4, TO-261AA |
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