Harris Corporation IRF630
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- IRF630
- Harris Corporation
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF630 Fiche technique
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4633
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| Part Number IRF630 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Harris Corporation |
| Description MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature - |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-220-3 |
| Supplier Device Package TO-220AB |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) - |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case TO-220-3 |
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