Infineon Technologies IRF3717
- IRF3717
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF3717 Fiche technique
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 5000
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IRF3717 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET N-CH 20V 20A 8SO |
Package Bulk |
Series HEXFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package 8-SO |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2890 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
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