Infineon Technologies IPW65R041CFD
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- IPW65R041CFD
- Infineon Technologies
- MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPW65R041CFD Fiche technique
- TO-247-3
- TO-247-3
-
Lead free / RoHS Compliant - 10968
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| Part Number IPW65R041CFD |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 |
| Package TO-247-3 |
| Series CoolMOS? |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-247-3 |
| Supplier Device Package PG-TO247-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 500W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 33.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Vgs (Max) 20V |
| Package_case TO-247-3 |
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