Infineon Technologies IPW60R024P7XKSA1
- IPW60R024P7XKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPW60R024P7XKSA1 Fiche technique
- TO-247-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 4422
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number IPW60R024P7XKSA1 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41 |
Package Tube |
Series CoolMOS™ P7 |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-247-3 |
Supplier Device Package PG-TO247-3-41 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 291W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 101A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 42.4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.03mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7144 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-247-3 |
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