IPP65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1

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  • IPP65R110CFDXKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IPP65R110CFDXKSA1 Fiche technique
  • TO-220-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 10579
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
IPP65R110CFDXKSA1
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3
Package
Bulk
Series
CoolMOS™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
277.8W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-220-3

IPP65R110CFDXKSA1 Des garanties

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Indice de produit
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