Infineon Technologies IPP023NE7N3G
- IPP023NE7N3G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPP023NE7N3G Fiche technique
- TO-220-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 4682
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IPP023NE7N3G |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 |
Package Tube |
Series OptiMOS™ 3 |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 |
Supplier Device Package PG-TO220-3 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 37.5 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 |
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