Infineon Technologies IPD036N04LGATMA1
- IPD036N04LGATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPD036N04LGATMA1 Fiche technique
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 13368
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number IPD036N04LGATMA1 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31 |
Package Cut Tape (CT) |
Series OptiMOS™ 3 |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package PG-TO252-3-11 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 94W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 90A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 45µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300 pF @ 20 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD036N04LGATMA1 Des garanties
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