Infineon Technologies IKB30N65EH5ATMA1
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- IKB30N65EH5ATMA1
- Infineon Technologies
- IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
- Transistors - IGBTs - Single
- IKB30N65EH5ATMA1 Fiche technique
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 17354
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| Part Number IKB30N65EH5ATMA1 |
| Category Transistors - IGBTs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK |
| Package Tube |
| Series TrenchStop™ 5 |
| Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package PG-TO263-3 |
| Power - Max 188 W |
| Input Type Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) 75 ns |
| Current - Collector (Ic) (Max) 55 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V |
| IGBT Type Trench Field Stop |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A |
| Gate Charge 70 nC |
| Td (on/off) @ 25°C 24ns/159ns |
| Test Condition 400V, 30A, 22Ohm, 15V |
| Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A |
| Switching Energy 870µJ (on), 300µJ (off) |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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