HGTG27N120BN

Fairchild Semiconductor HGTG27N120BN

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  • HGTG27N120BN
  • Fairchild Semiconductor
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Transistors - IGBTs - Single
  • HGTG27N120BN Fiche technique
  • TO-247-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4261
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
HGTG27N120BN
Category
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247-3
Power - Max
500 W
Input Type
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
-
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 27A
Gate Charge
270 nC
Td (on/off) @ 25°C
24ns/195ns
Test Condition
960V, 27A, 3Ohm, 15V
Current - Collector Pulsed (Icm)
216 A
Switching Energy
2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Package_case
TO-247-3

HGTG27N120BN Des garanties

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