FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1

Infineon Technologies FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1

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  • Infineon Technologies
  • IGBT MODULE 3300V 2000A
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1 Fiche technique
  • Module
  • Tray
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1615
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT MODULE 3300V 2000A
Package
Tray
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
-
Power - Max
14500 W
Configuration
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V
Current - Collector Cutoff (Max)
12 mA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.25V @ 15V, 1.2kA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
150 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Package_case
Module

FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1 Des garanties

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Indice de produit
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