ON Semiconductor FQI7N80TU
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- FQI7N80TU
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQI7N80TU Fiche technique
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 25415
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number FQI7N80TU |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
| Package Tube |
| Series QFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package I2PAK (TO-262) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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