ON Semiconductor FQD1N80TM
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- FQD1N80TM
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQD1N80TM Fiche technique
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2224
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number FQD1N80TM |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series QFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package TO-252AA |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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