FDG6321C-F169

ON Semiconductor FDG6321C-F169

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  • FDG6321C-F169
  • ON Semiconductor
  • INTEGRATED CIRCUIT
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • FDG6321C-F169 Fiche technique
  • 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 851
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
FDG6321C-F169
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
ON Semiconductor
Description
INTEGRATED CIRCUIT
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6
Power - Max
300mW
FET Type
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Package_case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

FDG6321C-F169 Des garanties

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