ON Semiconductor FDD6680AS
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- FDD6680AS
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 55A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDD6680AS Fiche technique
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 29909
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number FDD6680AS |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 30V 55A TO252 |
| Package Bulk |
| Series PowerTrench®, SyncFET™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package TO-252AA |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 60W (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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