EPC EPC2100ENG
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- EPC2100ENG
- EPC
- TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2100ENG Fiche technique
- Die
- Die
-
Lead free / RoHS Compliant - 4059
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number EPC2100ENG |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Manufacturer EPC |
| Description TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
| Package Die |
| Series eGaN? |
| Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case Die |
| Supplier Device Package Die |
| FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Package_case Die |
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