DMTH8012LPSW-13

Diodes Incorporated DMTH8012LPSW-13

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  • DMTH8012LPSW-13
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • DMTH8012LPSW-13 Fiche technique
  • 8-PowerTDFN
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1369
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
DMTH8012LPSW-13
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Diodes Incorporated
Description
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Package
Cut Tape (CT)
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PowerDI5060-8
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Package_case
8-PowerTDFN

DMTH8012LPSW-13 Des garanties

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