Diodes Incorporated DMT10H015LCG-13
- DMT10H015LCG-13
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMT10H015LCG-13 Fiche technique
- 8-PowerVDFN
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 1489
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number DMT10H015LCG-13 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Diodes Incorporated |
Description MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN |
Package Tape & Reel (TR) |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package V-DFN3333-8 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 1W (Ta) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case 8-PowerVDFN |
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