Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1
- BSP613PH6327XTSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- BSP613PH6327XTSA1 Fiche technique
- TO-261-4, TO-261AA
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 3344
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number BSP613PH6327XTSA1 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 |
Package Bulk |
Series SIPMOS® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package PG-SOT223-4 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-261-4, TO-261AA |
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