BSM15GP120B2BOSA1

Infineon Technologies BSM15GP120B2BOSA1

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  • Infineon Technologies
  • IGBT MODULE 1200V
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • BSM15GP120B2BOSA1 Fiche technique
  • Module
  • Tray
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3692
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
BSM15GP120B2BOSA1
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT MODULE 1200V
Package
Tray
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Power - Max
180 W
Configuration
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
500 µA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 15A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1 nF @ 25 V
Input
Three Phase Bridge Rectifier
NTC Thermistor
Yes
Package_case
Module

BSM15GP120B2BOSA1 Des garanties

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Indice de produit
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