BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005

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  • BSM120D12P2C005
  • Rohm Semiconductor
  • MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • BSM120D12P2C005 Fiche technique
  • Module
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3065
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
BSM120D12P2C005
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
Rohm Semiconductor
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Power - Max
780W
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 10V
Package_case
Module

BSM120D12P2C005 Des garanties

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