Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005
- BSM120D12P2C005
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- BSM120D12P2C005 Fiche technique
- Module
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 3065
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number BSM120D12P2C005 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer Rohm Semiconductor |
Description MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type - |
Package / Case Module |
Supplier Device Package Module |
Power - Max 780W |
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Feature Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs - |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V |
Package_case Module |
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