ALD1110EPAL

Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL

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  • ALD1110EPAL
  • Advanced Linear Devices Inc.
  • MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • ALD1110EPAL Fiche technique
  • 8-DIP (0.300\", 7.62mm)
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 5521
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
ALD1110EPAL
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
Advanced Linear Devices Inc.
Description
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Package
Tube
Series
EPAD®
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
8-DIP (0.300\", 7.62mm)
Supplier Device Package
8-PDIP
Power - Max
600mW
FET Type
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.01V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Package_case
8-DIP (0.300\", 7.62mm)

ALD1110EPAL Des garanties

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