Renesas Electronics America Inc 2SB861C-E
- 2SB861C-E
- Renesas Electronics America Inc
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 2SB861C-E Fiche technique
- -
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1586
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
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| Numéro de pièce 2SB861C-E |
| Catégorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Fabricant Renesas Electronics America Inc |
| Description POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP |
| Emballer Tube |
| Série - |
| Température de fonctionnement - |
| Type de montage - |
| Colis/Caisse - |
| Package d'appareil du fournisseur - |
| Puissance-Max - |
| Type de transistor - |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) - |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max) - |
| Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic - |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) - |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - |
| Transition de fréquence - |
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